+7(499)229-17-71 8(800)350-90-48
С ПН по ПТ: с 9-00 до 18-00 (МСК)

Кремниевые транзисторы

Прибор Характеристики Информация

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Б предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503А предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502Е предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502Д предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502Г предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502В предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502А предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ368ВМ предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ368БМ предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ368АМ предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Страницы