Кремниевые транзисторы

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ916А в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.

Транзисторы КТ8301А-5 кремниевые, бескорпусные, эпитаксиально-планарные, n-p-n, мощные, с демпферным диодом, с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов, предназначенные для применения в импульсных и ключевых схемах регуляторов напряжения и других приборах широкого применения, в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защи

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ8248А (КТ8248А1 с демпфирующим диодом и резистором в цепи эмиттер-база) предназначены для применения в высоковольтных ключевых схемах телевизионных приемников, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ8229А предназначены для применения в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.